介質(zhì)損耗值得影響因素：

表面影響

被試品的表面泄露對絕緣電阻影響很大，對tgδ的測量也同樣如此，影響的程度與被試品的電容量有關(guān)。電容量較小的試品，當表面臟污受潮后表面泄露增加，回帶來嚴重的影響，有可能引起誤判斷。因此，對小電容量的試品，必須注意消除表面泄露的影響；而對大電容量的試品，影響較小。測量中，應(yīng)除去表面臟污，如遇空氣濕度大時，應(yīng)對表面采取必要的措施，但不宜加屏蔽環(huán)，否則將使電場分布改變，會得出錯誤的測量結(jié)果。

tgδ的綜合（整體）值與個別值的關(guān)系

一般電氣設(shè)備的結(jié)構(gòu)是多個部件組成的。各部件的絕緣又是由不同絕緣材料構(gòu)成的。因此，在對電氣設(shè)備試驗結(jié)果分析時，可如實地把設(shè)備的絕緣部件看成是由多個介質(zhì)的等值電路串聯(lián)、并聯(lián)、及串并聯(lián)組成的電路。這樣我們所測得設(shè)備的tgδ值，實際上是各部件的等值電路組合后的綜合值。經(jīng)計算可得出：并聯(lián)后的綜合tgδ必然大于其中*小的，而小于其中*大的，一般可認為，綜合tgδ主要代表并聯(lián)各元部件中電容量*大者的介質(zhì)損耗值；串聯(lián)后的綜合tgδ值介于元件中的*大與*小兩個介質(zhì)損耗角正切值之間，各元件的值相差不大時，他們都將接近于綜合值，相差較大時，綜合值主要反映串聯(lián)元件中電容量*小者的介質(zhì)損耗角正切值；串并聯(lián)介質(zhì)電路的綜合tgδ值在兩個元件的值之間。